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BandiT实时温度测试仪

发布者::admin  发布时间: :2011-09-20 14:28  浏览次数: :
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详细说明:

kSA BandiT是一种非接触、实时谱带吸收式半导体晶片温度传感器。它采用谱带随温度变化的半导体材料,可以监测高温计所不能测量的晶片温度。

kSA BandiT成功地为MBE, MOCVD, Sputter, PLD等半导体沉积设备上安装了高精度、多晶片的温度图像系统。通过利用kSA BandiT温度监控系统以及复杂的循环同步技术,这种新的方案能实时提供MBE生长过程中所有晶片的温度分布全图。

最新的kSA BandiT多晶片温度监控软件结合了自动伺服马达控制的扫描检测功能,从而为获得晶片和压台全面的实时温度提供了强大的技术保证。

该系统是唯一一种能给生长过程中晶片提供实时的二维温度信息。对Wafer(及薄膜)表面温度实时、非接触、非入侵、最直接的绝对检测;采用温度和半导体材料对光的吸收边沿(谱带能量)相关性原理,即材料的本征特性,使得测量结果更为准确;可装载到MBE、MOCVD、溅射、蒸发系统等和热处理、退火设备上,进行实时温度检测。

技术参数:
最大温度范围:室温~1300摄氏度;

温度重复性:0.2摄氏度;

温度分辨率:0.1摄氏度;

稳定性:+/-0.2摄氏度;

主要特点:

*实时、非接触、非入侵、直接的绝对Wafer温度精确监测;

*多基片/晶片表面2D温度Mapping监测;

*最真实的Wafer表面或薄膜温度监测;

*整合了最新的黑体辐射监测技术;

*沉积速率和薄膜厚度分析;

*表面粗糙度分析功能;

*测量激光波长范围可选(例如:可见光波段、近红外波段等)

*避免了发射率变化对测量的影响;

*无需沉积设备Viewport特殊涂层;


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