kSA BandiT 半导体实时温度测量系统是一种非接触、实时测量半导体衬底表面温度的测试系统,采用半导体材料吸收边随温度的变化的原理,实时测量晶片/衬底的温度;并且kSA BandiT 已经成功地安装到众多的MBE, MOCVD, Sputter, PLD等半导体沉积设备上,实现了晶片的温度实时监测。
该系统在外延薄膜生长过程中,对Wafer(及薄膜)表面温度实时、非接触、非入侵的直接检测;采用温度和半导体材料对光的吸收边(禁带宽度)相关性原理,即材料的本征特性,使得测量结果更为可靠;可装载到MBE、MOCVD、溅射、蒸发系统等和热处理、退火设备上,进行实时温度监测。可选配多晶片温度测量软件功能及扫描功能,以实现MBE外延薄膜生长过程中多晶片温度的实时监测及温度的二维分布信息。
• 温度测试范围:室温~1200℃(视不同材料而定)
• 温度测试精度:±2℃
• 温度测试稳定性:±0.2℃
• 温度测试分辨率:±0.1℃
• 温度测试扫描速率:30 point/1nm
• 实时、非接触、非入侵、直接Wafer温度监测
• 真实的Wafer表面或薄膜温度监测
• 整合了新的黑体辐射监测技术
• 避免了发射率变化对测量的影响
• 无需沉积设备Viewport特殊涂层
• 测量波长范围可选(例如:可见光波段、近红外波段等)
• 多基片/晶片表面2D温度Mapping监测(选配)
• 沉积速率和薄膜厚度分析(选配)
• 表面粗糙度分析功能(选配)
测量实例
标准配置软件界面
多wafer测量
mapping测量