采用多光束光学传感器系统(kSA MOS)原位实时应力测量分析，可研究锂离子电池反应动力学过程中或在正常使用过程中内部会产生应力，对其电化学性能的影响；即就是在充放电过程中锂离子电池外壳表面的应力变化,得到了充放电循环中锂离子电池电极表面的应力大小与电荷状态的关系；进而分析充放电过程中应力变化的异同,即产生不可逆应力,充放电曲线不重合。
原位薄膜应力测量系统kSA MOS Film Stress Measurement System，又名原位薄膜应力计或原位薄膜应力仪！
采用非接触激光MOS技术；不但可以对样品表面应力分布进行统计分析，而且还可以进行样品表面二维应力、曲率成像分析；客户可自行定义选择使用任意一个或者一组激光点进行测量；并且这种设计始终保持所有阵列的激光光点始终在同一频率运动或扫描，从而有效的避免了外界振动对测试结果的影响；同时提高了测试的分辨率；适合各种材质和厚度薄膜应力分析；
典型用户：如Harvard University 2套，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University 2套，Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute，西安交通大学，中国计量科学院等、半导体和微电子制造商（如IBM.，Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC，Nissan ARC,Nichia Glass Corporation）等；
相关产品
• 实时原位薄膜应力仪（kSA MOS Film Stress Tester）：同样采用多光束MOS技术，可装在各种真空沉积设备上（如：MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects），对于薄膜生长过程中的应力变化进行实时原位测量和二维成像分析；
• 薄膜热应力测量系统（kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester）
• 薄膜应力测量系统（kSA MOS Film Stress Measurement System）
设备名称
kSA MOS Film Stress Tester, kSA MOS Film Stress Measurement System，kSA MOS Film Stress Mapping Systems
主要特点
• MOS 多光束传感器技术；
• 单Port(样品正上方)和双Port(对称窗口)系统设计；
• 适合MOCVD, MBE, Sputter，PLD、蒸収系统等各种真空薄膜沉积系统以及热处理设备等；
• 薄膜应力各向异性测试和分析功能；
• 生长速率和薄膜厚度测量；（选件）
• 光学常数n&k 测量；（选件）
• 多基片测量功能；（选件）
• 基片旋转追踪测量功能；（选件）
• 实时光学反馈控制技术，系统安装时可设置多个测试点；
• 免除了测量不受真空系统振动影响；
测试功能
• 实时原位薄膜应力测量
• 实时原位薄膜曲率测量
• 实时原位应力*薄膜厚度曲线测量
• 实时原位薄膜生长全过程应力监控等
测试示意图
充放电过程
动力学循环过程
