原位薄膜应力测量系统(kSA MOS Film Stress Measurement System)：采用非接触激光MOS技术，不但可以对样品表面应力分布进行统计分析，而且还可以进行样品表面二维应力、曲率成像分析。您可自行定义选择使用任意一个或者一组激光点进行测量，并且这种设计始终保持所有阵列的激光光点始终在同一频率运动或扫描，从而有效的避免了外界振动对测试结果的影响，同时提高了测试的分辨率，适合各种材质和厚度薄膜应力分析。

典型用户：Harvard University 2套，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University 2套，Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute，西安交通大学，中国计量科学院等、半导体和微电子制造商（如IBM.，Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC，Nissan ARC,Nichia Glass Corporation）等；

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薄膜应力仪（kSA MOS 薄膜应力测量仪）：为独立测量系统，同样采用多光束MOS技术，详细信息请与我们联系。

设备名称
原位薄膜应力测量系统，原位薄膜应力测试仪，原位薄膜应力计，薄膜应力仪，kSA MOS Film Stress Tester, kSA MOS Film Stress Measurement System;

主要特点

     • 自主**技术：MOS 多光束传感器技术（**号：US 7,391,523 B1）；

     • 单 Port(样品正上方)和双 Port(对称窗口)系统设计；

     • 适合 MOCVD, MBE, Sputter，PLD、蒸发系统等各种真空薄膜沉积系统以及热处理设备等，也可将设备搭建在光学平台上，用于监测电极材料反应过程中的曲率/应力变化情况；

     • 薄膜应力各向异性测试和分析功能；

     • 实时光学反馈控制技术，系统安装时可设置多个测试点；

     • 免除了测量不受真空系统振动影响；

     • 理想环境下曲率半径分辨率 20km（依赖于腔体设计）;

     • 应力测量范围几十 kPa~100Gpa；

     • 多基片测量功能；（选件）

     • 光学常数 n&k 测量；（选件）

     • 基片旋转追踪测量功能；（选件）

     • 生长速率和薄膜厚度测量。（选件）

测试功能

     • 薄膜生长过程中，实时、原位薄膜曲率-时间/膜厚度曲线；实时、原位薄膜应力-时间/膜厚度曲线；

     • 锂电池/燃料电池等电极材料在电解液中反应时，实时、原位薄膜曲率-时间/膜厚度变化曲线；实时、原位薄膜应力-时间/膜厚度曲线。

基本配置

     • 12位单色CCD检测系统：分辨率 1360(H) x 1024(V), 6.45μm x 6.45μm pixel size；；曝光时间可控10 μs to 77.3 s sec

     • 激光和光学系统：激光波长660nm(可定制其他波长激光器)，激光功率>70mW，恒电流运行模式，稳定性≤0.2%（8小时）；带温控的激光控制器（出厂设定温度25°C），温度稳定性<0.2°C；

     • 自动光学追踪系统：当进行样品测试时，用来追踪伺服系统而检测来自样品表面反射光；

     • 计算机、MOS数据采集和系统控制电路板；

     • 测量分析软件：数据采集，系统控制，自动激光光点检测，实时曲率、曲率半径、应力强度、应力数据采集和图像显示，分析功能多测试曲线对比分析、统计分析等，便捷的2D图像显示和调整功能，数据ASCII输出。

实际应用